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          更三高考訂閱頁(yè)

          如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)

          Ai高考 · 高中物理
          2022-02-25
          更三高考院校庫(kù)

          題文

          如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為b(b>3a).線框的MN邊與磁場(chǎng)邊界平行.在垂直于MN的水平恒力F作用下線框水平向右運(yùn)動(dòng),t=0時(shí)MN邊以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng),t=t0時(shí)線框完全進(jìn)入磁場(chǎng),t=3t0時(shí)線框MN邊以速度v0離開(kāi)磁場(chǎng).v-t圖象如圖乙所示.( )A.t=0時(shí),線框MN邊兩端電壓為Bav0B.t0時(shí)刻線框的速度為(v0-2Ft0)/mC.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大D.線框在開(kāi)始進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的電熱為F(a+b)

          如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)

          題型:未知 難度:其他題型

          答案

          A.t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為外電壓,總的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為:E=Bav0,則MN的兩端電壓為 U=34E=34Bav0,故A錯(cuò)誤;
          B.根據(jù)圖象可知在t0~3t0時(shí)間內(nèi),線框做勻加速直線運(yùn)動(dòng),不受安培力,合力等于F,則在t0時(shí)刻線框的速度為v=v0-a2t0=v0-2Ft0m.故B正確.
          C.線框離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程與進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程完全相同,線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間速度一定與t0時(shí)刻線框的速度相等,故C錯(cuò)誤.
          D.因?yàn)閠=0時(shí)刻和t=3t0時(shí)刻線框的速度相等,進(jìn)入磁場(chǎng)和穿出磁場(chǎng)的過(guò)程中受力情況相同,故完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間速度與t0時(shí)刻的速度相等,進(jìn)入磁場(chǎng)克服安培力做的功和離開(kāi)磁場(chǎng)克服安培力做的功一樣多.根據(jù)動(dòng)能定理,外力做的功等于克服安培力做的功,即有Fb=Q,所以線框穿過(guò)磁場(chǎng)的整個(gè)過(guò)程中,產(chǎn)生的電熱為2Fb,故D錯(cuò)誤.
          故選B.

          點(diǎn)擊查看勻變速直線運(yùn)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)講解,鞏固學(xué)習(xí)

          解析

          34

          考點(diǎn)

          據(jù)考高分專家說(shuō),試題“如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正.....”主要考查你對(duì) [勻變速直線運(yùn)動(dòng) ]考點(diǎn)的理解。

          勻變速直線運(yùn)動(dòng)

          定義:
          在任意相等的時(shí)間內(nèi)速度的變化相等的直線運(yùn)動(dòng),即加速度恒定的變速直線運(yùn)動(dòng)叫勻變速直線運(yùn)動(dòng)。

          特點(diǎn):
          a=恒量。

          勻變速直線運(yùn)動(dòng)規(guī)律(基本公式):
          速度公式:v=如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)
          位移公式:x=如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)
          速度平方公式:如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)
          位移—平均速度關(guān)系式:x=如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)

          勻變速直線運(yùn)動(dòng)的幾個(gè)重要推論:

          1. 在任意兩個(gè)連續(xù)相等的時(shí)間間隔內(nèi)通過(guò)的位移之差為一恒量,即:S-S=S-S=…=SN-SN-1=ΔS=如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)(此公式可以用來(lái)判斷物體是否做勻變速直線運(yùn)動(dòng))。進(jìn)一步推論:Sn+m-Sn如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù),其中Sn、Sn+m分別表示第n段和第(n+m)段相等時(shí)間內(nèi)的位移,T為相等時(shí)間間隔。
          2. 某段時(shí)間內(nèi)的平均速度,等于該段時(shí)間的中間時(shí)刻的瞬時(shí)速度,即如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)
          3. 某段位移中點(diǎn)的瞬時(shí)速度等于初速度v0和末速度v平方和一半的平方根,即vs/2如圖甲所示,光滑水平面上有一個(gè)單匝均勻正方形銅線框,錢(qián)框質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為a,總電阻為R.垂直于水平面的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)左、右邊界相互平行,相距為_(kāi)高中物理題庫(kù)。

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